Den relative molekylmasse er 140,28. Grå, hvid eller off-white. Det er en uopløselig forbindelse med høj temperatur uden smeltepunkt og stærk modstand mod krybning ved høj temperatur. Lastblødgøringspunktet for det reaktive sintrede siliciumnitrid uden bindemiddel er over 1800 ℃; hexagonal krystalsystem. Krystallen er hexahedral. Tætheden af Si3N4 fremstillet ved reaktions sintringsmetode er 1,8 ~ 2,7 g / cm3, og densiteten af Si3N4 fremstillet ved varmpresningsmetode er 3,12 ~ 3,22 g / cm3. Mohs-hårdheden er 9 ~ 9,5, Vickers-hårdheden er ca. 2200, og mikrohårdheden er 32630MPa. Smeltepunkt 1900 ℃ (under pres). Det nedbrydes normalt omkring 1900 ° C under normalt tryk.
Den specifikke varmekapacitet er 0,71J / (g · K). Formationsvarmen er -751,57 kJ / mol. Den termiske ledningsevne er (2-155) W / (m · K). Den lineære ekspansionskoefficient er 2,8 ~ 3,2 × 10-6 / ℃ (20 ~ 1000 ℃). ikke opløselig i vand. Opløselig i fluorid. Temperaturen, hvormed oxidation starter i luften, er 1300 til 1400 ° C. Den specifikke volumenmodstand er 1,4 × 105 · m ved 20 ° C og 4 × 108 · m ved 500 ° C. Den elastiske modul er 28420 ~ 46060MPa. Trykstyrken er 490MPa (reaktion sintret). Ved 1285 ° C reagerer det med dicalciumdinitrid til dannelse af calciumsilazid. Ved 600 ° C reduceres overgangsmetallet, og nitrogenoxider frigives. Bøjningsstyrken er 147MPa. Det kan fremstilles ved at opvarme siliciumpulver i nitrogen eller omsætte siliciumnitrid med ammoniak. Modstanden er mellem 10 ^ 15-10 ^ 16Ω.cm. Kan bruges som råmateriale til keramik ved høj temperatur.
